而老迈的液晶技术受限于各种影响，典型的内的T的实终将被这些新时代显示技术所取代，逐渐淡出历史的舞台。

平台的容量约为60mAhg−1，卷化对应于单电子电荷转移。然而，项目学生习简区域I的相变是相应放电过程中的固溶反应(图1f)。

从第三个循环开始，典型的内的T的实电压范围扩大到1.4–4.3V。近日，卷化厦门大学杨勇教授和美国阿贡国家实验室陆俊教授研究团队合作，卷化以Counter-IntuitiveStructuralInstabilityArousedbyTransitionMetalMigrationinPolyanionicSodiumIonHost为题在Adv.EnergyMater期刊上发表重要研究成果。项目学生习简图2显示了在30°C循环之前（图2a）和之后（图2b）沿[2−21]区域轴成像的NVCP材料的原子排列。

此外，典型的内的T的实该电极在高温下的库仑效率低于100%，低于低温下的库仑效率。这项工作挑战了长期以来对聚阴离子骨架结构稳定性的假设，卷化并呼吁人们迫切关注对NVCP体系的结构理解以及提高性能的策略制定。

这说明在较高温度下的电化学反应比在较低温度下的电化学反应具有不可逆的趋势，项目学生习简与在30℃循环时的趋势相似。

无论是金属氧化物还是聚阴离子材料，典型的内的T的实阳离子都是构建骨架的关键，其在主体结构中的稳定性对循环和安全性至关重要。这种方法可以选择性氧化亲本碳环上以前无法接近的位点，卷化并使非生物骨架重排成为其他基础结构。

文献链接：项目学生习简Auniversalsystemfordigitizationandautomaticexecutionofthechemicalsynthesisliterature.(Science,2020,DOI:10.1126/science.abc2986)14.北海道大学MasayaSawamura:脂肪族酰胺和酯与模块化铱催化剂的不对称远程C-H硼化在C–H键官能化化学中，项目学生习简尤其是在线性脂族饱和烃骨架中，位点选择性和立体控制仍然是主要挑战。这些基团在芳族单元周围的引入取决于该方法的固有反应活性（亲电子卤化或C-H硼化），典型的内的T的实因此通常不可能对所有位置进行选择性靶向。

对溶液中羧酸盐反应性的了解为捕获醛，卷化酮和a,b-不饱和酯提供了条件。在这项工作中，项目学生习简明斯特大学JohnJ.MolloyRyanGilmour报告了一个通用的C3支架，该支架可以异构化并双向扩展。